一·單管區(qū)熔爐采用觸摸屏進(jìn)行操作KQZ-10-11 設(shè)備用途：
1. 提純金屬、半導(dǎo)體、有機(jī)和無機(jī)的化學(xué)材料；
2. 區(qū)熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個(gè)單晶
體中）
3. 焊接和測量液體中的擴(kuò)散率等。
二·單管區(qū)熔爐采用觸摸屏進(jìn)行操作KQZ-10-11 設(shè)備優(yōu)點(diǎn)：
1·區(qū)熔加熱爐采用往復(fù)區(qū)熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區(qū)的寬度問題；生長室的設(shè)計(jì)成功解決生長室的污染問題，
2·將加熱及保溫材料均設(shè)置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時(shí)抽真空；將流動高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；
3·開發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進(jìn)行操作，任意設(shè)置區(qū)熔的溫度，區(qū)熔的速度及次數(shù)。
三·主要技術(shù)參數(shù)
1.加熱溫度： 1100℃ 使用溫度：≤1000℃(主加熱采用紅外測溫）
2.設(shè)備功率： 10Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五線制）
3.超高頻感應(yīng)電源功率： 6Kw±10% 單相220v 50Hz（三相五線制）
4.主加熱方式： 高頻感應(yīng)加熱
5.設(shè)計(jì)前配置輔助加熱：采用電阻加熱 加熱功率≤1kw 溫度范圍≤500℃，溫度可控可設(shè)定。
4.冷態(tài)極限真空度： ≤5Pa
5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（內(nèi)徑*長度，半圓柱）（根據(jù)實(shí)際微調(diào)整）
6·石英管（腔室）尺寸：￠60*1000（根據(jù)實(shí)際加熱分布情況做調(diào)整）
7·加熱方式： 高頻感應(yīng)加熱
9·區(qū)熔熔區(qū)長度及速度：400mm 位移行程 ≥500mm
快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)
10.爐內(nèi)充氣壓力： ≤0.03MPa（氬氣 氫氣）
11·充氣系統(tǒng)： 自動充放氣（配置氫氣點(diǎn)火裝置）
